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三星14nm工艺移动芯片测试成功

来源:cnBeta 作者:cnBeta 发表于:2012-12-22 16:27  点击:
感谢192.168.1.1的投递 三星宣布与ARM签署了一项与14nmFinFET工艺技术和IP库相关的合作协议,并且还成功研发了一些基于14nmFinFET工艺的测试处理器芯片。 三星称14nmFinFET技术是未来发展的方向,未来的Exynos处理器将拥有PC式低功耗性能。此外,三星还与合

感谢192.168.1.1的投递
三星宣布与 ARM 签署了一项与 14nm FinFET 工艺技术和 IP 库相关的合作协议,并且还成功研发了一些基于 14nm FinFET 工艺的测试处理器芯片。三星称 14nm FinFET 技术是未来发展的方向, 未来的 Exynos 处理器将拥有 PC 式低功耗性能。此外,三星还与合作伙伴共同完成了ARM Cortex-A7 处理器、ARM big.LITTLE 配置和 SRAM 芯片的研发测试工作。

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  三星表示,相比目前的32/28nm HKMG工艺,14nm FinFET工艺会进一步大大改善SoC芯片的漏电率和动态功耗。在未来的 Exynos 处理器中,三星将采用 ARM big.LITTLE 处理技术和 14nm 工艺制程,这意味着三星未来的处理器将更加高效。

  为了方便客户,三星还发布了工艺设计包 PDK,允许他们开始基于 14nm FinFET 测试芯片设计模型或者展开其他产品设计工作。

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